Tampereen yliopisto

Väitös: Uudenlaiset GaSb-pohjaiset valonlähteet lupaavat tarkempia mittausmenetelmiä ja turvallisempaa tietoliikennettä

27.11.2024 08:50:00 EET | Tampereen yliopisto | Tiedote

Jaa

Yhdistepuolijohteet ovat vallanneet maailmaa niiden ainutlaatuisesti säädettävien ominaisuuksien ansiosta. Uusien yhdistepuolijohteiden kehitys mahdollistaa puolijohdekomponenttien toiminnallisuuksien laajentamisen sekä tehostamisen. Väitöstutkimuksessaan diplomi-insinööri Joonas Hilska kehitti uudenlaisia GaSb-yhdistepuolijohteita infrapuna-alueen fotoniikan sovelluksiin.

Henkilö seisoo monimutkaisen teknisen laitteen vieressä laboratoriossa.
Diplomi-insinööri Joonas Hilska keskittyi väitöstutkimuksessaan GaSb-yhdistepuolijohteisiin. Kuva: Roosa Hytönen

Yhdistepuolijohdeteollisuus elää kiihtyvän kehityksen aikakaudella ja on vakiinnuttanut asemansa osana puolijohdeteollisuutta Si-pohjaisten integroitujen mikropiirien rinnalla. Esimerkiksi LED-valaisimet perustuvat GaN-yhdistepuolijohteisiin ja tietoliikenneverkostot perustuvat erilaisiin GaAs- ja InP-yhdistepuolijohdekomponentteihin.

Väitöstutkimuksessaan Joonas Hilska keskittyi vähemmän kehitettyihin GaSb-yhdistepuolijohteisiin. Hän kehitti uudenlaisia GaSbBi-yhdisteitä sekä GaSb-kvanttipisteitä molekyylisuihkuepitaksia-menetelmällä (MBE).

– MBE:llä on mahdollista valmistaa täydellisiä puolijohdekiderakenteita yksittäinen atomikerros kerrallaan, Hilska toteaa.

GaSbBi-yhdisteet teoriassa parantavat keski-infrapuna-alueen (2–5 µm) laserdiodien suorituskykyä, mikä olisi merkittävää ympäristökaasujen ja biomarkkereiden tarkassa mittauksessa.  GaSbBi-yhdisteiden valmistus on kuitenkin haasteellista, koska vismuttia (Bi) on hankala seostaa GaSb-kiteeseen. Siksi Hilska kartoitti tutkimuksessaan rajoitetun parametri-ikkunan Bi-seostukselle ja sovelsi tätä tietoa GaSbBi-laserdiodin valmistamiseen.

GaSb-kvanttipisteiden MBE-valmistuksessa puolestaan hyödynnettiin niin kutsuttua paikallista pisaraetsausmenetelmää. Sen avulla puolijohdekiteen pintaan pystytään ’poraamaan’ nanokokoisia koloja.

– Kun kolot täytetään GaSb-materiaalilla, muodostuu varauksenkuljettajille kolmessa ulottuvuudessa rajoitettu kvanttitila, jolla on diskreetit energiatilat aivan kuin yksittäisellä atomilla. Tällaista energiarakennetta voidaan hyödyntää niin sanotuissa yksifotonilähteissä, jotka säteilevät vain yhden valohiukkasen kerrallaan, Hilska kertoo.

Menetelmällä onnistuttiin tuottamaan tasalaatuisia kvanttipisteitä, jotka toimivat yksifotonilähteinä 1,5 µm aallonpituudella. Kvanttipisteitä voidaan hyödyntää turvallisen kvanttisalauksen sovelluksissa valokuituverkoissa.

Väitöstilaisuus tiistaina 3. joulukuuta

Diplomi-insinööri Joonas Hilskan puolijohdeteknologian alaan kuuluva väitöskirja Epitaxy of Advanced GaSb-based Semiconductor Light Sources tarkastetaan julkisesti Tampereen yliopiston tekniikan ja luonnontieteiden tiedekunnassa tiistaina 3.12.2024 kello 13:00 Hervannan kampuksella, Tietotalon auditoriossa TB109 (Korkeakoulunkatu 1, Tampere). Vastaväittäjänä toimii professori Mark Hopkinson Sheffieldin yliopistosta. Kustoksena toimii professori Mircea Guina Tampereen yliopiston tekniikan ja luonnontieteiden tiedekunnasta.

Avainsanat

Yhteyshenkilöt

Joonas Hilska
joonas.hilska@tuni.fi

Kuvat

Henkilö seisoo monimutkaisen teknisen laitteen vieressä laboratoriossa.
Diplomi-insinööri Joonas Hilska keskittyi väitöstutkimuksessaan GaSb-yhdistepuolijohteisiin.
Kuva: Roosa Hytönen
Lataa

Linkit

Tampereen yliopisto kytkee yhteen tekniikan, terveyden ja yhteiskunnan tutkimuksen ja koulutuksen. Teemme kumppaniemme kanssa yhteistyötä, joka perustuu vahvuusalueillemme sekä uudenlaisille tieteenalojen yhdistelmille ja niiden soveltamisosaamiselle. Luomme ratkaisuja ilmastonmuutokseen, luontoympäristön turvaamiseen sekä yhteiskuntien hyvinvoinnin ja kestävyyden rakentamiseen. Yliopistossa on 22 000 opiskelijaa ja henkilöstöä yli 4 000. Rakennamme yhdessä kestävää maailmaa.

Tilaa tiedotteet sähköpostiisi

Haluatko tietää asioista ensimmäisten joukossa? Kun tilaat tiedotteemme, saat ne sähköpostiisi välittömästi julkaisuhetkellä. Tilauksen voit halutessasi perua milloin tahansa.

Lue lisää julkaisijalta Tampereen yliopisto

LähiTapiola lahjoittaa 900 000 euroa Tampereen yliopistolle suomalaisten yritysten riskienhallinnan kehitykseen28.1.2026 10:00:00 EET | Tiedote

LähiTapiolan lahjoitus on osa sen suomalaisille yliopistoille suuntaamaa Kasvukipinä-lahjoituskokonaisuutta. Sillä yhtiö tukee suomalaista osaamista ja tutkimusta sekä luo edellytyksiä uudelle kasvulle. Saamallaan lahjoituksella Tampereen yliopisto edistää yhteiskuntamme kestävää kasvua perustamalla arvoa luovaan riskienhallintaan keskittyvän professuurin. Yliopisto kehittää tutkimukseen perustuvia uusia kasvun konsepteja, joiden avulla riskienhallinta voidaan kytkeä yritysten strategiseen suunnitteluun ja liiketoiminnan kehittämiseen. Tavoitteena on tuoda riskienhallinta entistä tiiviimmin osaksi kasvun johtamista.

Tutkimus ohjaa eurooppalaisia kaupunkeja tarkastelemaan saasteita sosiaalisesta näkökulmasta21.1.2026 12:00:00 EET | Tiedote

Tampereen yliopiston johtama kansainvälinen ATMOPOLIS-hanke yhdistää eurooppalaiset kansalaiset, tutkijat ja viranomaiset tutkimaan ilmansaasteita ja melua sosiaalisesta näkökulmasta. Hankkeessa tutkijat kehittävät integroidun työkalun, joka hyödyntää kansalaistiedettä ja auttaa kaupunkeja arvioimaan päästövähennystoimien terveys-, ilmasto- ja kustannusvaikutuksia.

Uutishuoneessa voit lukea tiedotteitamme ja muuta julkaisemaamme materiaalia. Löydät sieltä niin yhteyshenkilöidemme tiedot kuin vapaasti julkaistavissa olevia kuvia ja videoita. Uutishuoneessa voit nähdä myös sosiaalisen median sisältöjä. Kaikki tiedotepalvelussa julkaistu materiaali on vapaasti median käytettävissä.

Tutustu uutishuoneeseemme
World GlobeA line styled icon from Orion Icon Library.HiddenA line styled icon from Orion Icon Library.Eye